特許
J-GLOBAL ID：200903085990018449
イオンビーム照射装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
川久保 新一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-206403
公開番号（公開出願番号）：特開平5-028947
出願日： 1991年07月23日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】低エネルギーイオンビーム照射装置の試料近傍まで、イオンビームが散乱せず、したがって高電流密度の低エネルギーイオンビームを試料に照射することができるようにする。【構成】引き出し電圧を加速電圧とは逆極性の値に設定し、イオンビーム発生部から、トランスポートを介して試料にイオンビームを照射するイオンビーム照射装置において、試料の近傍まで延びていてイオンビームを通過させる高電圧チューブを設け、この高電圧チューブと所定の間隔を保って、高電圧チューブをシールドするシールドチューブを設けたものである。
請求項（抜粋）：
所定の試料をほぼ接地電位に保持するとともに、トランスポートに印加する引き出し電圧を、加速電圧とは逆極性の値に設定し、イオンビーム発生部から、上記トランスポートを介して上記試料にイオンビームを照射するイオンビーム照射装置において、上記試料の近傍まで延び、上記イオンビームを通過させる高電圧チューブであって、上記イオンビームを加速する電圧が印加された高電圧チューブと;この高電圧チューブと所定の間隔を保って、上記高電圧チューブをシールドするシールドチューブと;を有することを特徴とするイオンビーム照射装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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