特許
J-GLOBAL ID：200903085991541153
プラズマ装置およびこれを用いたドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-027287
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221079
出願日： 1994年01月31日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 ヘリコン波プラズマや誘導結合プラズマ等の高密度プラズマを用い、Cuを含有するAl系配線膜の良好なエッチングを行う。【構成】 ヘリコン波プラズマ装置のプロセス・チャンバ7の天板6をAl板にて構成し、かつこれをヒータ4で加熱可能な構成とする。このプロセス・チャンバ7内で、BCl3 /Cl2 等の通常の塩素系ガスを用いてAl-4%Cu膜をエッチングする。【効果】 蒸気圧の低いエッチング反応物CuClx は、加熱された上記天板6からヘリコン波プラズマPH との接触により供給されるAlClx と反応して蒸気圧の高いクロロアルミニウム銅に変化し、プロセス・チャンバ7外へ排気される。したがって、Cuに起因するエッチング残渣やパーティクルの発生が防止できる。
請求項（抜粋）：
基板を収容する高真空容器と、前記高真空容器内にイオン密度が1011/cm3 以上の高密度プラズマを生成させる少なくとも1基のプラズマ生成手段とを備え、前記高真空容器の内壁面の少なくとも一部がAl系部材を用いて構成され、かつ該Al系部材を加熱する加熱手段が設けられてなるプラズマ装置。
FI (2件)：
H01L 21/302 B
, H01L 21/302 G
