特許
J-GLOBAL ID:200903086006405115

保護素子付半導体発光装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山田 義人 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-104024
公開番号(公開出願番号):特開2002-170997
出願日: 2001年04月03日
公開日(公表日): 2002年06月14日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 製造が簡単な保護素子付半導体発光装置を提供する。【解決手段】保護素子付半導体発光装置10は基板12を含み、基板12の表面にはリード14aおよび14bが形成される。基板12上(リード14aおよびリード14b)には、LEDチップ16、反射膜18およびZDチップ20が一体成形された複合チップ30がダイボンディングされる。続いて、LEDチップ16のp側電極16aとリード14aとがボンディングワイヤ24aで電気的に接続され、n側電極16bとリード14bとがボンディングワイヤ24bで電気的に接続されワイヤボンディングが施される。ただし、ZDチップ20は、LEDチップ16とは逆極性でボンディングされている。
請求項(抜粋):
2つの第1電極を有する基板、前記第1電極のそれぞれに接続される第2電極を有する保護素子チップ、および前記保護素子チップ上に配置されるかつ上面に2つの第3電極を有する発光素子チップを備え、前記第3電極から前記第1電極にワイヤボンディングすることを特徴とする、保護素子付半導体発光装置。
Fターム (8件):
5F041AA03 ,  5F041AA42 ,  5F041DA07 ,  5F041DA44 ,  5F041DA61 ,  5F041DA83 ,  5F041DB04 ,  5F041EE23

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