特許
J-GLOBAL ID：200903086006911142
半導体レーザの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-046231
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218593
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 拡散源によるフリーキャリア吸収の少ないMQW層無秩序型の窓構造レーザの製造方法を得る。【構成】 高濃度のZn拡散によってMQW層を無秩序化して窓構造を形成した後、拡散源を除去した状態で熱処理を行うことにより拡散領域のZnをさらに拡散させ濃度を下げる。【効果】 窓構造部分の拡散濃度を低減できるのでフリーキャリア吸収による損失の少ない窓構造レーザが作成できる。
請求項（抜粋）：
量子井戸構造の活性層を有し、その発光端面近傍の該量子井戸構造が無秩序化されて形成された窓構造を有する半導体レーザの製造方法において、量子井戸構造の活性層を備えた半導体レーザ構造の発光端面に相当する部分の上記量子井戸構造を不純物拡散によって無秩序化する工程と、上記無秩序化工程の後、不純物拡散の拡散源を除去した状態で熱処理を行い、上記無秩序化工程で形成された拡散領域の不純物をさらに拡散させて低濃度にする工程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (2件)：
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