特許

J-GLOBAL ID：200903086007882286

投影露光方法

発明者： 加藤 毅 ,  平沼 雅幸 ,  木口 保雄 ,  国吉 伸治
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-226889
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067555
出願日： 1991年09月06日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】投影露光方法において、重ね合わせ精度を向上する。【構成】マスクの描画パターンを光学軸に沿って被転写基板7に転写する投影露光方法において、互いに離隔した基準位置に複数個のマーク11',12',13',14'が形成されている第1マスクの第1描画パターンを被転写基板7表面に転写する工程と、該被転写基板7に転写された第1描画パターンのマーク11,12,13,14間の離隔距離を検出し、該離隔距離と前記基準位置間距離から描画パターンの歪量を検出する工程と、該検出された歪量に近似させて、第2マスク1の第2描画パターン又は被転写基板7を光学軸に対して変化させ、被転写基板7に第2マスク1の第2描画パターンを形成する工程とを備える。【効果】マスク1の傾きを制御し、投影される描画パタ-ンを歪ませることができるので、ウエ-ハ7の歪に合わせてパタ-ンを投影し、合わせ精度を向上することができる。

請求項（抜粋）：

マスクの描画パターンを光学軸に沿って被転写基板に転写する投影露光方法において、互いに離隔した基準位置に複数個のマークが形成されている第1マスクの第1描画パターンを、被転写基板表面に転写する工程と、該被転写基板に転写された第1描画パターンのマーク間の離隔距離を検出し、該検出された離隔距離と前記基準位置間距離とを比較し、第1描画パターンの歪量を検出する工程と、該検出された歪量に近似させて、第2マスクの第2描画パターン又は被転写基板を光学軸に対して変化させ、被転写基板に第2マスクの第2描画パターンを形成する工程とを備えたことを特徴とする投影露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 311 M ,  H01L 21/30 301 M