特許

J-GLOBAL ID：200903086016394570

半導体装置の製造方法

発明者： 入江 重夫 ,  山田 隆順
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-262944
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101068
出願日： 1998年09月17日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 素子の信頼性の低下を防ぎながら微細化を図ることができる半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】 半導体基板1上にゲート酸化膜2を介して多結晶シリコン膜3を形成し、多結晶シリコン膜3の形成領域4上にフォトレジスト6をパターニングし、フォトレジスト6をマスクとして多結晶シリコン膜3の非形成領域5に不純物イオン7を注入し、熱処理して不純物イオン7を形成領域4にまで拡散し、フォトレジスト6をマスクとして非形成領域5をエッチング除去してゲート電極配線9を形成するものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート酸化膜を介して多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜のゲート電極配線非形成領域に選択的に不純物を注入する工程と、熱処理により前記ゲート電極配線非形成領域中の前記不純物を前記ゲート電極配線形成領域にまで拡散して前記ゲート電極配線形成領域を導電性にする工程と、前記ゲート電極配線非形成領域を除去してゲート電極配線を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。

Fターム (8件)：

5F040DA01 ,  5F040DA06 ,  5F040DA28 ,  5F040DC01 ,  5F040EC07 ,  5F040FA19 ,  5F040FC12 ,  5F040FC28