特許

J-GLOBAL ID：200903086019644658

不揮発性メモリを電荷トラッピングするための改善された消去および読み取り手法

発明者： ミヒール、イェー.ファン、ドゥーレン
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (6件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  関根 毅
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-523097
公開番号（公開出願番号）：特表2007-502489
出願日： 2004年08月04日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：

本発明は、不揮発性電荷トラッピング型メモリデバイスのアレイを動作させるための方法を述べる。方法は、アレイの実質的に全ての不揮発性メモリデバイスのブロック消去ステップの前に、アレイの実質的に全ての不揮発性メモリデバイスにブロック書き込みするステップを備える。本発明の利点は、これを行なうことにより、さらなる電荷トラッピング型不揮発性メモリデバイスを、基準セルとして使用できることであり、基準セルは、アレイ内のメモリセルのブロック書き込みおよびブロック消去によって書き込みおよび消去され、したがって、基準セルは、アレイ内のメモリセルと同一の繰り返し履歴を示す。この特性を用いて、読み取りパラメータを目盛りセルの経年変化に適応させることができる。また、対応するデバイスも、提供される。

請求項（抜粋）：

不揮発性電荷トラッピング型メモリデバイスのアレイを動作させるための方法であって、 前記アレイの実質的に全ての前記不揮発性メモリデバイスのブロック消去ステップの前に、前記アレイの実質的に全ての前記不揮発性メモリデバイスにブロック書き込みするステップを備える、ことを特徴とする方法。

IPC (8件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/06 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10

FI (7件)：

G11C17/00 612C ,  G11C17/00 612F ,  G11C17/00 621Z ,  G11C17/00 634E ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 481

Fターム (20件)：

5B125BA08 ,  5B125CA27 ,  5B125DC03 ,  5B125DC11 ,  5B125EE05 ,  5B125EJ05 ,  5B125FA01 ,  5B125FA05 ,  5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083ER03 ,  5F083ER11 ,  5F083ER23 ,  5F083GA17 ,  5F083GA21 ,  5F101BA45 ,  5F101BB02 ,  5F101BC02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07