特許
J-GLOBAL ID：200903086026541465
パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
永田 武三郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-105990
公開番号（公開出願番号）：特開平5-281703
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 フォトレジスト側壁に金属が堆積しない良好な逆テーパー形状のフォトレジストパターン形成方法を提供することである。【構成】 リフトオフ法におけるレジストパターンの形成において、上層部のフォトレジスト5には感度の低いレジスト、下層部のフォトレジスト4には感度の高いレジストを配置してフォトレジストパターンを形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に、第1のフォトレジストを塗布しベーキングする第1の工程と、第1のフォトレジスト上に、このレジストの感度よりも感度の低い第2のフォトレジストを形成する第2の工程と、所定のパターンが描かれているマスクにより上記第1及び第2のフォトレジストを露光、現像し、ベークする第3の工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, H01L 21/027
, H01L 21/302
