特許

J-GLOBAL ID：200903086027242666

半導体記憶装置

発明者： 和田 俊男 ,  佐藤 康夫
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-214451
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036991
出願日： 1991年07月31日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】 浮遊ゲート型メモリトランジスタからなるメモリセルを有するEEPROM等の不揮発性の半導体記憶装置において、半導体基板と浮遊ゲートとの間に大きな容量性結合を与えることを可能としてメモリセルの電気的特性を向上させるとともに、高集積化に伴う製造歩留の低下も防止する。【構成】 シリコン基板10と浮遊ゲート25との間の第1誘電体膜23を、二酸化シリコン膜11、窒化シリコン膜12及び二酸化シリコン膜13をこの順番でシリコン基板10上に積層した三層構造の複合誘電体膜で構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1の誘電体膜と、この第1の誘電体膜の上に形成された浮遊ゲートと、この浮遊ゲートの上に形成された第2の誘電体膜と、この第2の誘電体膜の上に形成された制御ゲートとを有する半導体記憶装置において、前記第1の誘電体膜が、窒化シリコン膜と二酸化シリコン膜を含む複合誘電体膜であることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434