特許

J-GLOBAL ID：200903086032648158

半導体レーザ

発明者： 中塚 慎一 ,  右田 雅人 ,  矢野 振一郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-236861
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085392
出願日： 1992年09月04日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 高濃度のp型不純物ドーピングに困難の多いII-VI族半導体を用いた半導体において低抵抗な半導体が得られる材料のみを用いて半導体レーザの形成を可能とする。【構成】 ZnSSeをp型クラッド層、ZnCdSをnクラッド層として用いる。さらにキャリア閉じ込めを強化するために、活性層近傍のp-ZnSSe層中にZnSTe層、あるいはCdZnSe/ZnSSeの超格子層などの障壁層を形成する。また、活性層中のキャリアの分布を改善するために活性層の一部をp-ZnSSe側に禁制帯が大きくなるように形成する。【効果】 低抵抗のp型が容易に得られるZnSSeをp型クラッド層として用いながら電子及びホールに対して十分大きな閉じ込め効果を保つことが可能となりII-VI族半導体による室温連続発振が可能となる。

請求項（抜粋）：

ZnSSeをp型クラッド層、ZnCdSをnクラッド層として用いたことを特徴とする半導体レーザ。