デスミア処理方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松村修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-234575
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050603
出願日： 2000年08月02日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】プラズマ等によるドライデスミア処理を行なう場合に、樹脂残渣がビア内において不均一に存在することによって処理時間が長くなるのを抑える。【解決手段】プラズマエッチング等のエッチングによってビア20内に残存する樹脂残渣21を除去するプラズマエッチングに先立って、ビルドアップ基板25を所定の温度に加熱し、これによってビア20内における樹脂残渣21の分布の均一化を図る。

請求項（抜粋）：

基板の所定の位置に穴を形成し、前記穴の内周面および/または底部に残存する基板材料の残渣をエッチングによって除去するデスミア処理方法において、前記基板材料の残存を除去する前に前記基板の加熱処理を行なうことを特徴とするデスミア処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 645 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/304 645 C , H05H 1/46 A , H01L 21/302 N

Fターム (8件)：

5F004AA09 , 5F004BA04 , 5F004BB13 , 5F004CA04 , 5F004DA26 , 5F004DB23 , 5F004EB01 , 5F004FA01

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