特許
J-GLOBAL ID：200903086037472120
電界放出型電子源及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-090456
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027540
出願日： 1997年04月09日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：
【要約】【課題】 タワー形状の陰極を微細化しても、陰極に流すことができる最大電流値が低下しないようにする。【解決手段】 シリコン基板11の上には、陰極形成領域にそれぞれ円形状の開口部を有する下部酸化シリコン膜16A及び上部酸化シリコン膜18Aを介して引き出し電極19Aが形成されている。下部酸化シリコン膜16A、上部酸化シリコン膜18A及び引き出し電極19Aの開口部の内部には、タワー形状の陰極17が形成されており、該陰極17の先端部は結晶異方性エッチングとシリコンの熱酸化プロセスとによって形成された半径2nm以下の急峻な形状を有している。シリコン基板11における下部酸化シリコン膜16A及び上部酸化シリコン膜18Aの開口部に露出した領域の表面及び陰極17の表面は、低仕事関数材料からなる薄い表面被覆膜20により覆われている。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に絶縁膜を介して形成され陰極形成領域に開口部を有する引き出し電極と、前記基板上における前記引き出し電極の開口部内に形成されたタワー形状の陰極と、該陰極の表面及び前記基板における前記引き出し電極の開口部に露出した部分の表面に連続して形成された低仕事関数材料よりなる表面被覆層とを備えていることを特徴とする電界放出型電子源。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 B
, H01J 9/02 B
