特許
J-GLOBAL ID：200903086040917311
横型ホール素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-178779
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330646
出願日： 1995年07月14日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【課題】 従来の横型ホール素子と比較してホール感度の直線性に優れ、また的確にオフセット補償を行うことができる横型ホール素子を提供することを目的とする。【解決手段】 4端子を持つホール素子で1対のセンサ電極5の外側にそれぞれ3つのp型層8と10とを設け、p型層8と10とにはそれぞれ電極9と11とが設けてある。そしてp型層8と11の各々に電位を与えることができるようになっている。
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上に形成された第1導電型活性層と、この第1導電型活性層を取り囲むようにかつ前記基板に達する深さまで形成された第1の第2導電型半導体層と、前記第1導電型活性層表面に所定の距離を隔てて選択的に形成された高濃度で1対の第1の第1導電型半導体層と、この1対の第1の第1導電型半導体層上にそれぞれ形成された電流供給電極と、前記第1導電型活性層表面の前記第1の第1導電型半導体層とは異なる位置に所定の距離を隔てて形成された高濃度で1対の第2の第1導電型半導体層と、この1対の第2の第1導電型半導体層上にそれぞれ形成されたセンサ電極とを備え、主たる電流は前記電流供給電極間を前記第1導電型活性層表面に平行に流れ、磁界は前記第1導電型活性層表面に対して垂直方向に印加される横型ホール素子において、前記第1導電型活性層表面の前記第1および第2の第1導電型半導体層とは異なる位置に形成された複数の第2の第2導電型半導体層に各々電位を与えることを特徴とする横型ホール素子。
IPC (3件)：
H01L 43/06
, G01R 15/20
, G01R 19/00
H01L 43/06 Z
, G01R 19/00 N
, G01R 15/02 B
