特許
J-GLOBAL ID：200903086041915460

磁気検出回路

発明者：
早川 博彦

早川 博彦 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について

, 
株式会社ルネサス東日本セミコンダクタ

株式会社ルネサス東日本セミコンダクタ について


代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-082165
公開番号（公開出願番号）：特開2005-265751
出願日： 2004年03月22日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】 ホール素子とその周辺回路を一つの半導体チップ上に有するモノリシックIC化された磁気センサにおいて、製造ばらつきにかかわらずホール素子の磁気-電気変換特性の温度依存性を有効に補償することが可能な回路構成技術を提供する。【解決手段】 ホール素子を電圧で駆動するとともに、Y=aT2+bまたはY=aT2+bT(a、bは定数、Tは絶対温度)で表わされる温度依存性を持つ電圧を発生する回路を設け、該回路で発生された電圧をホール素子に駆動電圧として印加してホール素子の磁気-電気変換特性の温度依存性を補償するようにした。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ホール素子と、該ホール素子に印加される駆動電圧を発生する定電圧駆動回路とを備え、1つの半導体チップに形成された磁気検出回路であって、上記定電圧回路は、Y=aT2+bまたはY=aT2+bT(a、bは定数、Tは絶対温度)で表わされる温度依存性を持つ駆動電圧を発生し、該駆動電圧の温度依存性で上記ホール素子の磁気-電気変換特性を補償させるようにしたことを特徴とする磁気検出回路。
IPC (2件)：
G01R33/07 ,  H01L43/06
FI (2件)：
G01R33/06 H ,  H01L43/06 A
Fターム (5件)：
2G017AA01 ,  2G017AB05 ,  2G017AC04 ,  2G017AD53 ,  2G017BA07
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 米国特許4,760,285号
  • 磁気検出回路の温度補償回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-060291   出願人：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社

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