特許
J-GLOBAL ID：200903086044303709
半導体受光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-034287
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206497
出願日： 1992年01月24日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 空間電荷効果を抑えて相互変調歪みを抑制しつつ、量子効率の低下を防ぎ、端子間容量の増大を図る。【構成】 n+ -InP基板1に順次、キャリア濃度5E14乃至5E15cm-3かつ層厚1.5乃至2.5μmからなるn- -InP緩衝層2と、キャリア濃度5E15乃至1E15cm-3かつ層厚1.3μm乃至2μmからなるn- -InGaAs光吸収層3と、n-InP窓層4を成長させ、前記窓層4内にp型不純物を前記光吸収層との境界へ到達する深さまで導入して選択的にp+ 領域5を形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板上に、第1導電型でキャリア濃度が5E14〜5E15cm-3かつ層厚が1.5〜2.5μmの緩衝層、第1導電型でキャリア濃度が5E15cm-3以下かつ層厚が1.3〜2μmの光吸収層および第1導電型の窓層が形成され、窓層内に前記光吸収層に到達する第2導電型の拡散層が形成されている半導体受光素子。
引用特許：
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