特許

J-GLOBAL ID：200903086051343899

半導体レーザ

発明者： 高木 和久
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-226125
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074243
出願日： 1995年09月04日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】 第1,第2レーザ構造を有する半導体レーザにおいて、各レーザ構造の間隔を充分空けても、発生するレーザ光を単峰のビーム形状とすることを目的とする。【解決手段】 第1レーザ構造14,トンネルダイオード構造15,及び第2レーザ構造16を積層するように順次成長させた半導体レーザにおいて、上記第1レーザ構造14及び第2レーザ構造16の屈折率よりも屈折率が大きい光導波層8を、上記第2レーザ構造16とトンネルダイオード構造15との間に設けたものである。

請求項（抜粋）：

第1レーザ構造,トンネルダイオード構造,及び第2レーザ構造を積層するように順次成長させ、上記第1レーザ構造,及び第2レーザ構造の順方向が当該半導体レーザの順方向と同じ向きとなり、上記トンネルダイオード構造の順方向が当該半導体レーザの順方向と逆向きとなるようにしてなり、順方向に電流を流したときレーザ光を発生する半導体レーザにおいて、上記第1レーザ構造,及び第2レーザ構造の屈折率よりも屈折率が大きい光導波層を、上記第2レーザ構造とトンネルダイオード構造との間,または上記第1レーザ構造とトンネルダイオード構造との間のいずれか一方に設けたことを特徴とする半導体レーザ。