特許
J-GLOBAL ID：200903086056553476
気相成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-050125
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263351
出願日： 1994年03月22日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 本発明は半導体製造装置などの絶縁膜の気相成長装置に関し、膜厚均一性の高い良質な絶縁膜作製装置を提供することにある。【構成】 ガスの撹拌室、成膜室、排気室などからなり、成膜室と排気室との境に流れのコンダクタンスを調節する整流板を挿入したもの。【効果】 排気口が1ヶ所でもガスの流れが整流板によって偏らないために試料面上でのガスの流れが均一化され膜厚が均等に形成できる。
請求項（抜粋）：
ガス導入孔からの数種類のガスを撹拌混合する撹拌室を備え、ウエーハを裁置する加熱試料台、試料取り出し口、排気孔などからなる装置に於いて、試料台と排気孔の間に多数の小孔からなる整流板を挿入したことを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件)：
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