特許
J-GLOBAL ID：200903086059677273
多結晶シリコン層の形成方法およびそれを用いた多結晶シリコン薄膜トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-269562
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163401
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】多結晶シリコンTFTの製造方法において、プロセス温度を低温化する。【構成】非晶質シリコン薄膜をその製膜後300°C以上450°C以下かつ製膜温度より高温で熱処理する。【効果】最高プロセス温度を100°C程度下げることができる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成された非晶質シリコン薄膜に、連続発振レーザー光などの光ビームを照射せしめ、前記光ビームの走査速度をビームスポット径×5000/秒以上として光ビームアニールを行い、前記非晶質シリコン薄膜を完全な溶融状態に至らしめることなく多結晶化する多結晶シリコン層の形成方法において、該非晶質シリコン薄膜は製膜後300°C以上450°C以下かつ製膜温度より高温で熱処理されたことを特徴とする多結晶シリコン層の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 21/336
, H01L 29/784
