特許
J-GLOBAL ID：200903086060434570
有機金属気相成長装置及び成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-305782
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144739
出願日： 1991年11月21日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハの表面を汚染することなく、エピタキシャル成長を行うことを可能にした有機金属気相成長装置及びその装置を用いた気相成長方法を提供しようとするものである。【構成】 成長終了後の成長室及び新たな半導体ウエハを収容した予備室をほぼ同一圧力までそれぞれ真空排気した後ゲートバルブを開放し、原料ガス搬送用のキャリアガスを予備室を経て成長室に供給して成長圧力まで昇圧し、成長済みの半導体ウエハと新たな半導体ウエハを予備室と成長室の間で交換し、ゲートバルブを閉じてから、成長室に原料ガスを供給して気相成長を行い、予備室には窒素ガスを供給して大気圧にし、成長済みの半導体ウエハを系外に回収するとともに新たな半導体ウエハを収容することを特徴とする有機金属気相成長方法お及びその装置である。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハを装着する回転式サセプタを縦型成長室の中央に配置し、該成長室に原料ガス供給管を接続し、該ウエハを予め真空に保持する予備室を設け、該成長室と予備室とをゲートバルブを介して搬送管で接続し、該成長室と予備室にはそれぞれ個別に真空排気系を接続した気相成長装置において、上記予備室に原料ガス搬送用のキャリアガス供給管を接続したことを特徴とする有機金属気相成長装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C30B 25/02
, C30B 25/12
, C30B 25/14
