特許
J-GLOBAL ID：200903086069688664
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
遠藤 恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-231794
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067699
出願日： 1997年08月13日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 熱応力による実装歩留りの低下を防止する目的で半導体チップの下にストレス遮断板を備えた半導体装置を少ない工数で製造する。【解決手段】 本発明は、ストレス遮断板を備えた半導体チップを製造するための好適な方法を提供する。本発明の製造方法は、高弾性の材料からなるストレス遮断板12及び接着面11を有するダイシングテープ5を用意する工程、半導体ウェハ1とストレス遮断板12とを接着層13を介して接着する工程、ストレス遮断板12をダイシングテープの接着面11上に接着する工程、半導体ウェハ1をストレス遮断板12と共に個々の半導体チップの単位で切断する工程、及び切断された上記半導体チップ15及びストレス遮断板12を上記ダイシングテープから剥離する工程を備えている。ストレス遮断板12は、半導体ウェハと共に切り出されるので、サイズの異なる半導体チップにあわせて後からストレス遮断板を切り出して供給する必要がなくなる。
請求項（抜粋）：
高弾性の材料からなるストレス遮断板及び接着面を有するダイシングテープを用意する工程と、半導体ウェハと上記ストレス遮断板とを接着層を介して接着する工程と、上記ストレス遮断板を上記ダイシングテープの接着面上に接着する工程と、上記半導体ウェハを上記ストレス遮断板と共に個々の半導体チップの単位で切断する工程と、切断された上記半導体チップ及びストレス遮断板を上記ダイシングテープから剥離する工程と、を備えた半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/78 M
, H01L 21/68 N
