特許
J-GLOBAL ID：200903086071506930
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-294987
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151731
出願日： 1992年11月04日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 トリプルウェル構造を有する半導体装置において、所定のウェル領域に印加されるバックバイアスの変化が他のウェル領域に変化を及ぼすことを有効に防止することである。【構成】 その中にPウェル3とボトムウェル固定用Nウェル9とが形成されるボトムNウェル5から所定の間隔を隔てた領域に通常のNウェル4を形成する。
請求項（抜粋）：
主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面上の所定領域に形成された第1導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域から所定の間隔を隔てた前記半導体基板の主表面上に形成された第1導電型の第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域内の前記半導体基板の主表面上に形成された第2導電型の第3の半導体領域と、前記半導体基板の主表面上の所定領域に形成された第2導電型の第4の半導体領域とを備えた、半導体装置。
引用特許：
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