特許

J-GLOBAL ID：200903086075549471

マスク及びそれを用いたホールパターン形成方法

発明者： 松岡 晃次
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-089440
公開番号（公開出願番号）：特開2002-287324
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
要約：

【要約】【課題】 スループットの低下や寸法精度の劣化を防止しつつ、解像限界以下のホールピッチを有する密集ホールパターンを孤立ホールパターンと共に形成できるようにする。【解決手段】 密集ホールパターンにおいてx方向及びy方向に沿って並べられる複数のホールが、各組に属するホールの各方向におけるピッチが各方向における最小ピッチP1x及びP1yの2倍のピッチP2x及びP2yと等しくなるように第1の組及び第2の組に分割されている。そして、各組に属するホールと対応するホール用透光部12及び22を有する第1及び第2のハーフトーン型位相シフトマスク10及び20を用いて同一のレジスト膜に対してパターン露光を2回行なう。第1及び第2のハーフトーン型位相シフトマスク10及び20のそれぞれにおける相手のマスクの透光部と対応する領域に遮光性強化部13及び23が形成されている。

請求項（抜粋）：

所定の方向に沿って並べられる複数のホールを有するホールパターンが配置されてなるレジストパターンを形成するために用いられるマスクであって、第1の組に属するホールのピッチが前記複数のホールの最小ピッチの2倍以上になると共に第2の組に属するホールのピッチが前記最小ピッチの2倍以上になるように前記複数のホールが分割されてなる第1の組及び第2の組のうち、前記第1の組に属するホールと対応する透光部を有する第1のハーフトーン型位相シフトマスクと、前記第2の組に属するホールと対応する透光部を有する第2のハーフトーン型位相シフトマスクとを備え、前記第1のハーフトーン型位相シフトマスクにおける前記第2のハーフトーン型位相シフトマスクの前記透光部と対応する領域に、該領域を透過する露光光の強度を低下させる第1の遮光性強化部が形成されていると共に、前記第2のハーフトーン型位相シフトマスクにおける前記第1のハーフトーン型位相シフトマスクの前記透光部と対応する領域に、該領域を透過する露光光の強度を低下させる第2の遮光性強化部が形成されていることを特徴とするマスク。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 D ,  G03F 1/08 G ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 514 A

Fターム (11件)：

2H095BA01 ,  2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  2H095BB31 ,  2H095BC05 ,  5F046AA13 ,  5F046AA25 ,  5F046BA04 ,  5F046BA08 ,  5F046CB17 ,  5F046DA12