特許
J-GLOBAL ID：200903086075951628
半導体装置の製造方法ならびにフォトマスクおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-219579
公開番号（公開出願番号）：特開平11-065083
出願日： 1997年08月14日
公開日（公表日）： 1999年03月05日
要約：
【要約】【課題】 位相シフトマスクにおいて発生する副作用を防止して解像度の向上を図る。【解決手段】 半導体ウェハに転写されるホールパターンに対応しかつ最大透過率を有するマスクホールパターン36と、このマスクホールパターン36の周囲に形成されかつ位相シフトによりマスクホールパターン36に対して180度±60度の位相差を有する中間透過率パターン37と、この中間透過率パターン37の周囲に形成された最小透過率パターン38とを有したフォトマスク35であり、このフォトマスク35を用いて前記半導体ウェハ上に高解像度の前記ホールパターンを転写する。
請求項（抜粋）：
透過する光に少なくとも2種類の位相差を与えるとともに少なくとも3種類の透過率によって透過させかつ半導体ウェハに転写されるマスクパターンを有したフォトマスクを準備する工程と、前記半導体ウェハの表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜が形成された半導体ウェハを前記露光装置に配置する工程と、前記フォトマスクを露光装置に配置する工程と、前記露光装置によって、前記半導体ウェハに形成された前記レジスト膜に前記マスクパターンを転写する露光工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
