特許
J-GLOBAL ID：200903086076984228
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-262796
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122083
出願日： 1993年10月20日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】【目的】 メモリセルアレイの各ブロックの書込みおよび消去回数を均等化する。【構成】 書込みがメモリセルアレイ1の各ブロックB1〜B4に均等に行われるように、書込み信号または消去信号をカウンタ回路20に取り込み、任意のカウント値となったときブロックシフト回路21により上記ブロックB1〜B4をシフトする。
請求項（抜粋）：
行方向および列方向にアレイ状に複数のメモリセルが配置されたメモリセルアレイと、外部から入力されたアドレス信号をデコードし、上記行方向および列方向に特定されたメモリセルを選択するXデコーダおよびYデコーダと、上記特定されたメモリセルに対し外部からの入力データに応じて書込みを行なう書込み回路と、上記メモリセルの全てのソース線に高電圧を供給して消去を行なうソース線スイッチと、上記特定されたメモリセルを介してビット線からソース線に電流が流れるか否かを検出し、この検出結果を読出しデータとして判定するセンスアンプとを備えた不揮発性半導体記憶装置において、上記消去時に入力される消去信号をカウントするカウンタ回路と、該カウンタ回路によるカウント値が設定値に達した際に、上記メモリセルアレイを複数に分割した各ブロックをシフトさせるブロックシフト回路とを設けたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06
, G06F 12/16 310
G11C 17/00 309 F
, G11C 17/00 530 B
