特許

J-GLOBAL ID：200903086087088240

層間絶縁膜の形成方法

発明者： 原 昌輝
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-047852
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242144
出願日： 1997年03月03日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 金属配線の腐食を防止しつつ低誘電率の層間絶縁膜を形成することができる層間絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】 Si基板11上にAl合金などからなる金属配線12を形成した後、この金属配線12と直接接する層として低誘電体膜13を膜厚300nm以下で成膜する。この低誘電体膜13の表面に酸素を含むプラズマを照射して改質した後、この低誘電体膜13上に上層の低誘電体膜14を成膜してこれらの低誘電体膜13、14の全体の膜厚を層間絶縁膜として十分な膜厚にする。この低誘電体膜14の表面に酸素を含むプラズマを照射して改質した後、接続孔および上層配線を形成する。プラズマを照射する代わりに、低誘電体膜13、14の成膜温度よりも高い温度でアニールを行ってもよい。また、低誘電体膜13の成膜前にSi基板11にプラズマを照射して金属配線12の表面を加熱しておき、その状態で低誘電体膜13を成膜してもよい。

請求項（抜粋）：

一主面に金属配線を有する基板上に、熱酸化法により形成された二酸化シリコンよりも比誘電率が低い誘電体膜を層間絶縁膜として成膜するようにした層間絶縁膜の形成方法において、上記誘電体膜を同一の原料を用いて複数回に分けて成膜するようにしたことを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 M