特許
J-GLOBAL ID：200903086087241588
光半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-079707
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304332
出願日： 1992年04月01日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：
【要約】【目的】本発明は、半導体レーザ装置を含む光半導体装置の寿命の改善を目的としている。【構成】本発明は、半導体結晶内の局所応力場が転位や結晶欠陥に力を及ぼすことに着目し、この局所応力場を結晶内に積極的に導入することにより、光半導体装置の寿命を改善している。具体的には、AlGaInP系光半導体装置の場合には、少なくとも活性層を含む半導体層に、B,N,As,Sbのうち少なくとも一種類以上を導入している。同様にInGaAsP系の場合B,Al,N,Pのうち少なくとも一種類以上が、AlGaAsSb系の場合B,In,N,Pのうち少なうとも一種類以上が、InGaAsSb系の場合B,Al,N,Pのうち少なくとも一種類以上が、AlGaAs系の場合Pが、各々の光半導体装置の少なくとも活性層を含む半導体層に導入されている。
請求項（抜粋）：
GaAsからなる半導体基板上に格子整合して順次積層して設けた少なくともAlX1GaY1In1-X1-Y1 Pからなる第1のグラッド層と、AlX2GaY2In1-X2-Y2 Pからなる活性層と、AlX3GaY3In1-X3-Y3 Pからなる第2のクラッド層とを有する光半導体装置において、少なくとも前記活性層を含む半導体層に、B,N,As,Sbのうち少なくとも1種類以上の元素を不純物として含むことを特徴とする光半導体装置。
引用特許：
前のページに戻る
