ブロック露光用パターン抽出方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本眞吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-347053
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182899
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】本発明は、ブロック露光用パターン抽出方法に関し、効率よく電子ビーム露光するためのブロック露光用パターンを、階層設計されたマスクパターンデータからより短時間で抽出することを目的とする。【構成】(1、2)マスクパターン設計段階で、ブロック定義枠を設定し、ストラクチャ名を指定しておき、(3)マスクパターンに対し図形処理を行い、(4)枠サイズをピッチとして、繰り返し配置されるブロックパターンを探索し、(5)任意角長大パターンから対象性をもつパターンを抽出し、(6)該枠内、指定ストラクチャ内及び探索し抽出したブロックパターンから候補ブロックを決定し、(7)候補ブロックの優先順位を決定し、(8、9)優先順位の高い所定個数の候補ブロックをブロック露光用パターンとして抽出する。

請求項（抜粋）：

階層化設計された半導体集積回路用マスクパターンデータから、電子ビーム透過マスク上に所定個数形成され電子ビームを通してその断面を所望の形状にするブロック露光用パターンを抽出するブロック露光用パターン抽出方法において、該マスクパターンデータ設計段階で、基本セルがアレイ状に配置された階層において該基本セルの領域を囲むブロック定義枠(E)を設定しておき、該マスクパターンに対するリサイジング処理を該ブロック定義枠に対しても行い、該マスクパターンに対し拡縮処理を施した後に該ブロック定義枠の近傍でパターンのスリット及びオーバラップが生じた場合には該スリット及び該オーバラップを無くし、図形処理後かつ展開前の該ブロック定義枠内のパターン群の中から1ショットブロック露光サイズに対応したパターン群を抽出し、該パターン群を該ブロック露光用パターンの候補ブロックとする、ことを特徴とするブロック露光用パターン抽出方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 504 , G03F 7/20 521 , G06F 15/60 370 , H01L 21/82

FI (2件)：

H01L 21/30 341 B , H01L 21/82 B

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