圧電体素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-285695
公開番号（公開出願番号）：特開平10-128973
出願日： 1996年10月28日
公開日（公表日）： 1998年05月19日
要約：

【要約】【課題】上下電極間にリーク電流が流れること及び上下電極間がショートすることを防止可能な圧電体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に、シリコン酸化膜2を介して下電極3、PZT膜4及び上電極5が形成され、PZT膜4及び上電極5は、下電極3の露出部と、シリコン酸化膜2の露出部との界面位置を含む近傍に対応した部分が内側にくびれた形状を有している。PZT膜14のエッジ部には、内側に切り欠かれた段差20が形成されている。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された下電極と、当該下電極上に形成された圧電体膜と、当該圧電体膜上に形成された上電極と、を備えてなる圧電体素子であって、前記圧電体膜は、複数並設されてなるとともに、隣接する圧電体膜間の距離が長い部分と短い部分とを備え、当該距離が長い部分は、少なくとも、隣接した圧電体膜間であって下電極が露出している部分と、下電極をエッチング除去した部分との界面位置に形成されてなる圧電体素子。

IPC (3件)：

B41J 2/045 , B41J 2/055 , B41J 2/16

FI (2件)：

B41J 3/04 103 A , B41J 3/04 103 H

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