特許

J-GLOBAL ID：200903086090044440

磁気抵抗効果素子及びその製造方法並びに磁気抵抗効果センサ

発明者： 屋上 公二郎 ,  角田 匡清 ,  高橋 研
出願人/特許権者： 高橋 研 ,  日立造船株式会社
代理人 (2件)： 高柴 忠夫 (外2名) ,  高柴 忠夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-368921
公開番号（公開出願番号）：特開2002-171011
出願日： 2000年12月04日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】 人工格子型又はスピンバルブ型の構造体を備えた磁気抵抗効果素子において、構造体内に酸素やSi原子などを極力含有させずに高いMR比を実現し、かつ、熱的安定性にも優れる磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る第一の磁気抵抗効果素子は、Ta-Ni-Fe合金膜からなる第一下地層103と、この第一下地層103上に設けられ面心立方構造からなり(111)面が優先成長面をなす膜からなる第二下地層104と、この第二下地層104上に設けられ強磁性体層105と非磁性体層106を順に複数回積層してなる構造体107、すなわちGMR多層膜をなす人工格子型の構造体を具備したことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

Ta-Ni-Fe合金膜からなる第一下地層と、前記第一下地層上に設けられ面心立方構造からなり(111)面が優先成長面をなす第二下地層と、前記第二下地層上に設けられ強磁性体層と非磁性体層を順に複数回積層してなる構造体と、を具備したことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (6件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12

FI (6件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R

Fターム (18件)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA12 ,  5D034BB09 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA07 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049GC01