特許
J-GLOBAL ID：200903086090396711
自己形成量子ドットを用いた半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-112845
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309322
出願日： 2002年04月16日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：
【要約】【課題】 自己形成量子ドットを用いた半導体発光素子に関し、設計自由度を高く保ったまま、優れた素子特性と高い信頼性を得る。【解決手段】 半導体中に光を伝搬させる導波構造と伝搬光を増幅する活性層3が複数の量子ドット4,5を含み、且つ、前記量子ドット4,5の下に互いに格子定数の異なる複数の材料が周期的に繰返し併設されているとともに、前記繰返しの周期が光の伝搬方向に沿って伝搬光の媒質内半波長の自然数倍の周期であり、且つ、前記量子ドット4,5の密度または大きさの少なくとも一方を、前記繰返し周期をもって周期的に変化させる。
請求項（抜粋）：
半導体中に光を伝搬させる導波構造と伝搬光を増幅する活性層を有する半導体発光素子において、前記活性層が複数の量子ドットを含み、且つ、前記量子ドットの下に互いに格子定数の異なる複数の材料が周期的に繰返し併設されているとともに、前記繰返しの周期が光の伝搬方向に沿って伝搬光の媒質内半波長の自然数倍の周期であり、且つ、前記量子ドットの密度または大きさの少なくとも一方が、前記繰返し周期をもって周期的に変化することを特徴とする自己形成量子ドットを用いた半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
5F073AA22
, 5F073AA64
, 5F073AA71
, 5F073AA75
, 5F073CA12
, 5F073DA05
, 5F073DA35
