特許

J-GLOBAL ID：200903086090672107

銅パターン配線形成方法及び該方法を用いて作成された半導体装置、並びにナノ銅金属粒子

発明者： 和泉 亮 ,  石原 政道
出願人/特許権者： 国立大学法人九州工業大学
代理人 (1件)： 大川 譲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-233994
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210872
出願日： 2005年08月12日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：

【課題】 ナノ銅金属粒子を用いた直描方式パターニング配線を形成するに際して、表面酸化銅形成により配線抵抗が大きくなるという問題点を解決して、描画後の低抵抗化を図り、半導体に実装可能にする。【解決手段】 本発明は、基板上にナノ銅金属粒子を用いたパターニング配線を直描方式により形成し、この配線に対して、原子状水素により金属表面酸化膜の還元、及び又は、有機物の除去の処理をする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上にナノ銅金属粒子を用いたパターニング配線を直描方式により形成する工程と、 該配線を原子状水素により金属表面酸化膜の還元、及び又は、有機物の除去の処理をする工程と、 前記処理工程と同時に、及び又は、その後に、加熱によりナノ銅金属粒子の緻密化を行う工程と、 から成る銅パターン配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  C23C 8/24

FI (3件)：

H01L21/88 M ,  C23C8/24 ,  H01L21/88 B

Fターム (14件)：

4K028AA02 ,  4K028AB02 ,  5F033GG03 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033MM30 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ90 ,  5F033QQ93 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ96 ,  5F033XX10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 銅配線パターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-263294   出願人：株式会社アルバック