特許

J-GLOBAL ID：200903086094274467

高電導性の透明導電膜の製造方法

発明者： 大籏 英樹 ,  加藤 順也 ,  白根 浩朗 ,  井上 長三
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-027813
公開番号（公開出願番号）：特開平10-226535
出願日： 1997年02月12日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】 ゾルゲル法により低温において高電導性の透明導電膜を製造する方法を提供する。【解決手段】 インジウムアルコキシドと錫アルコキシドと有機配位子と有機溶媒とを混合・撹拌して溶液を調製し、この溶液に水を添加し反応を行わせ、添加水量及び反応時間を制御してゾル形成し、このゾル溶液を基板上に塗布させた後、紫外線を照射して高電導性の透明導電膜を製造する。

請求項（抜粋）：

インジウムアルコキシドと錫アルコキシドと有機配位子と有機溶媒とを混合・撹拌して溶液を調製し、この溶液に水を添加し反応を行わせ、添加水量及び反応時間を制御してゾル形成し、このゾル溶液を基板上に塗布させた後、紫外線を照射することを特徴とする表面電気抵抗値が5×103 Ω/□以下の高電導性の透明導電膜の製造方法。

IPC (3件)：

C03C 17/25 ,  C01G 19/00 ,  H01B 13/00 503

FI (3件)：

C03C 17/25 A ,  C01G 19/00 A ,  H01B 13/00 503 C