特許

J-GLOBAL ID：200903086097208457

低温焼成磁器組成物

発明者： 竹之下 健 ,  内村 弘志 ,  立石 勇二
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-192477
公開番号（公開出願番号）：特開平10-036166
出願日： 1996年07月22日
公開日（公表日）： 1998年02月10日
要約：

【要約】【課題】高周波域における比誘電率が5以下であって200MPa以上の抗折強度を有し、かつ900〜1000°Cで焼成可能であり、同時焼成でCu、Ag、Auを配線導体とした多層化が可能な高周波用のアンテナ用基板材料又は各種配線基板材料に好適な低温焼成磁器組成物を得る。【解決手段】900〜1000°Cの焼成温度で緻密化する焼結体で、その組成が5〜20重量%のB2 O3 -ZnO-SiO2 -Na2 O-Al2 O3 系ガラスと、酸化物換算で1〜10重量%のLiと、79〜90重量%のSiO2 から成り、900〜1000°Cの焼成温度で緻密化する焼結体で、その比誘電率が5以下で、抗折強度が200MPa以上である。

請求項（抜粋）：

ホウケイ酸亜鉛系(B2 O3 -ZnO-SiO2 -Na2 O-Al2 O3 系)ガラスが5〜20重量%と、リチウム(Li)が酸化物換算で1〜10重量%と、シリカ(SiO2 )が79〜90重量%から成り、900〜1000°Cの焼成温度で緻密化する焼結体であって、該焼結体の比誘電率が3〜5であり、抗折強度が200MPa以上であることを特徴とする低温焼成磁器組成物。

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭63-074957
  
• 特開平1-226751