特許
J-GLOBAL ID：200903086103489110
半導体装置用フィルムキャリア
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-172550
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013434
出願日： 1991年07月12日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】ウイスカを発生させることなく、機械的強度も強く更に酸化腐食を起すことなく、多ピン化を大幅に増加させることが出来る新規な半導体装置用フィルムキャリアを提供する。【構成】インナーリード6及びアウターリード7は図1に示すようにNi又はNi合金のメッキ層9が全面に、その上に少なくともインナーリード6及びアウターリード7の半導体素子12の電極及び配線基板16との接合面にPd又はPd合金めっき層10が施され、インナーリード6及びアウターリード7の全面は、めっき層9又は10で被覆されている。
請求項（抜粋）：
半導体素子の電極と接合されるインナーリードと、このインナーリードに連設された外部配線基板と接合されるアウターリードを可撓性絶縁フィルム上にパターン形成した半導体装置用フィルムキャリアにおいて、少なくとも前記インナーリード及びアウターリードの半導体素子の電極及び配線基板との接合面に、Pd又はPd合金のめっき層が施されていることを特徴とする半導体装置用フィルムキャリア。
引用特許：
前のページに戻る
