特許
J-GLOBAL ID:200903086110420800
ICパッケージおよびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大貫 進介 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-225903
公開番号(公開出願番号):特開2001-053212
出願日: 1999年08月10日
公開日(公表日): 2001年02月23日
要約:
【要約】【課題】 放熱特性が改善されたICパッケージおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明による ICパッケージは、ヒートシンク基板(34)と、ヒートシンク基板(34)の一方面に設けられた凹部領域(32)と、凹部領域(32)内に接着されたICチップ(44)と、ICチップ(44)にワイヤ(46)を介して電気的に結合されるリード(24)であって、このリードの一部はヒートシンク基板(34)の一方面上に延在し、この延在するリードの部分(24)が接着剤によりヒートシンク基板に接着されているリード(24)と、凹部領域(32)上を被覆するポッティング樹脂(48)を備えるICパッケージである。
請求項(抜粋):
ICパッケージであって:ICチップ搭載領域(32)を有するヒートシンク基板(34)であって、このICチップ搭載領域(32)はヒートシンク基板の一方面に形成されるヒートシンク基板(34);ICチップ搭載領域(32)に接着されたICチップ(44);ICチップ(44)にワイヤ(46)を介して電気的に結合される複数のリード(24)であって、各リードの一部は接着剤によりヒートシンク基板(34)の前記一方面上に沿って接着されるリード(24);および前記ヒートシンク基板(32)の前記一方面を部分的に被覆するポッティング樹脂であって、前記ICチップ搭載領域(32)およびICチップ(44)を被覆するポッティング樹脂(48);を備えることを特徴とするICパッケージ。
IPC (4件):
H01L 23/50
, H01L 23/12
, H01L 23/28
, H01L 23/34
FI (5件):
H01L 23/50 F
, H01L 23/28 B
, H01L 23/28 C
, H01L 23/34 B
, H01L 23/12 J
Fターム (15件):
4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA06
, 4M109DB02
, 4M109DB07
, 5F036AA01
, 5F036BB08
, 5F036BD03
, 5F036BE01
, 5F067AA01
, 5F067AA03
, 5F067BE04
, 5F067BE08
, 5F067CA03
, 5F067DA05
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