特許

J-GLOBAL ID：200903086114612593

基板処理方法および基板処理装置

発明者： 藤川 和憲
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-122247
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283489
出願日： 1996年04月18日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 純水洗浄での基板へのパーティクルの再付着を大幅に軽減する。【解決手段】 処理槽内の純水に基板を浸漬して基板を洗浄する純水洗浄工程(c) を、処理槽内に形成した純水の上昇水流に基板を浸漬して基板を洗浄する第1の純水洗浄工程(c-1) と、第1の純水洗浄工程の後、純水の上昇水流を形成し、かつ、処理槽の少なくとも上方空間に不活性ガス雰囲気を形成した状態で処理槽から不活性ガス雰囲気内へと基板を引き上げる基板引き上げ工程(c-2) と、基板引き上げ工程の後、処理槽内への純水の供給を停止するとともに、処理槽内の純水を処理槽の底部から排出する純水排出工程(c-3) と、純水排出工程の後、処理槽内に純水の上昇水流を再び形成し、その純水の上昇水流に基板を浸漬して基板を洗浄する第2の純水洗浄工程(c-4) とを備えて構成した。

請求項（抜粋）：

処理槽内の純水に基板を浸漬して基板を洗浄する純水洗浄工程を少なくとも行う基板処理方法において、前記純水洗浄工程を、前記処理槽の底部から純水を供給するとともに前記処理槽の上部から純水を溢れ出させて前記処理槽内に形成した純水の上昇水流に基板を浸漬して基板を洗浄する第1の純水洗浄工程と、前記第1の純水洗浄工程の後、純水の上昇水流を形成し、かつ、前記処理槽の少なくとも上方空間に不活性ガス雰囲気を形成した状態で前記処理槽から前記不活性ガス雰囲気内へと基板を引き上げる基板引き上げ工程と、前記基板引き上げ工程の後、前記処理槽内への純水の供給を停止するとともに、前記処理槽内の純水を前記処理槽の底部から排出する純水排出工程と、前記純水排出工程の後、前記処理槽の底部から純水を供給するとともに前記処理槽の上部から純水を溢れ出させて前記処理槽内に純水の上昇水流を再び形成し、その純水の上昇水流に基板を浸漬して基板を洗浄する第2の純水洗浄工程と、を備えて構成したことを特徴とする基板処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 351

FI (3件)：

H01L 21/304 341 T ,  H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 351 C