ガスデポジション方法およびそれを用いた表示デバイス用基板の製造方法、ガスデポジション装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-206174
公開番号（公開出願番号）：特開2003-019432
出願日： 2001年07月06日
公開日（公表日）： 2003年01月21日
要約：

【要約】【課題】アーク放電によって材料を溶融、蒸発させて超微粒子を生成し、生成された超微粒子を堆積させて成膜を行うガスデポジション方法において、材料が局所的に消費されるのを回避し、材料の使用効率を向上させる。【解決手段】材料44は、ハース43に固定されたるつぼ64内に配置される。電極支持体49によって支持された陰極45と材料44との間に電圧を印加してアーク柱39を発生し、材料44を溶融、蒸発させて超微粒子を生成する。アーク柱39の発生中に、ハース43を水平方向(X-Y方向)に移動させることによって、材料44の溶融部38が生じる位置を変化させる。

請求項（抜粋）：

高融点金属からなる電極が内部に配置された超微粒子生成室内に導電性の材料を配置する工程と、前記超微粒子生成室と搬送管を介して接続された膜形成室内に基体を配置する工程と、前記超微粒子生成室内を所定の圧力に保ち、前記膜形成室内を前記超微粒子生成室内の圧力より低い所定の圧力に保ちつつ、前記電極と前記材料との間に電圧を印加してアーク放電を生じさせることによって前記材料を局所的に加熱し蒸発させて超微粒子を生成する工程とを有し、前記超微粒子を前記超微粒子生成室内の圧力と前記膜形成室内の圧力との差を利用して前記搬送管を介して前記膜形成室内に導き、該膜形成室内に配置された前記基体上に着床させて成膜を行うガスデポジション方法において、前記材料の表面の、前記電極の先端に最も近い点を移動させるように、前記材料と前記電極との相対位置を変える工程を有することを特徴とするガスデポジション方法。

IPC (7件)：

B01J 19/08 , B01J 19/00 , C23C 14/24 , G09F 9/00 342 , G09F 9/30 330 , H01J 9/02 , H01J 11/02

FI (9件)：

B01J 19/08 C , B01J 19/08 J , B01J 19/00 K , C23C 14/24 F , G09F 9/00 342 Z , G09F 9/30 330 Z , H01J 9/02 A , H01J 9/02 F , H01J 11/02 B

Fターム (35件)：

4G075AA24 , 4G075AA27 , 4G075BC01 , 4G075CA02 , 4G075CA03 , 4G075CA17 , 4G075DA02 , 4G075DA18 , 4G075EB01 , 4G075EC21 , 4G075ED01 , 4G075ED08 , 4G075ED13 , 4G075FB02 , 4K029BA01 , 4K029BA11 , 4K029BA16 , 4K029BA17 , 4K029BC03 , 4K029CA03 , 4K029DA01 , 4K029DD06 , 5C027AA03 , 5C040GC18 , 5C040GC19 , 5C040JA07 , 5C040JA31 , 5C040KA01 , 5C040MA23 , 5C040MA26 , 5C094GB10 , 5G435AA17 , 5G435KK05 , 5G435KK09 , 5G435KK10

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