特許
J-GLOBAL ID：200903086137848390
半導電性又は導電性複合体、その製造方法及び用途
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
牧野 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-028203
公開番号（公開出願番号）：特開平6-172571
出願日： 1993年02月17日
公開日（公表日）： 1994年06月21日
要約：
【要約】【目的】体積抵抗率が半導電性領域にあり、その体積抵抗率のばらつきが少なく、また、体積抵抗率の環境安定性にもすぐれる導電性材料と絶縁性有機重合体とからなる複合体であつて、機械的物性もすぐれる成形品を与える複合体を提供することにある。【構成】本発明による半導電性複合体は、一般式(I)【化1】(式中、m及びnはそれぞれ繰返し単位中のキノンジイミン構造単位及びフエニレンジアミン構造単位のモル分率を示し、0<m<1、0<n<1、m+n=1である。)で表わされるキノンジイミン構造単位及びフエニレンジアミン構造単位を主たる繰返し単位として有する有機重合体が絶縁性重合体からなる多孔質膜の有する連続孔の壁面に沿つて膜状乃至フイルム状に形成せしめられて、複合化されている。
請求項（抜粋）：
一般式(I)【化1】(式中、m及びnはそれぞれ繰返し単位中のキノンジイミン構造単位及びフエニレンジアミン構造単位のモル分率を示し、0<m<1、0<n<1、m+n=1である。)で表わされるキノンジイミン構造単位及びフエニレンジアミン構造単位を主たる繰返し単位として有する有機重合体が絶縁性重合体からなる多孔質膜の有する連続孔の壁面に沿つて膜状乃至フイルム状に形成せしめられていることを特徴とする半導電性複合体。
IPC (4件)：
C08J 9/00 CEZ
, G03G 5/06 376
, G03G 5/07
, C08L 79/00 LQZ
