特許

J-GLOBAL ID：200903086139849431

半導体装置及びその製造方法

発明者： 島本 裕巳 ,  内野 俊 ,  芝 健夫 ,  大西 和博 ,  玉置 洋一 ,  小林 孝 ,  菊池 俊之 ,  池田 隆英
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立デバイスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-047730
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260303
出願日： 1993年03月09日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、抵抗値のばらつきが小さく、任意の抵抗値に対して温度依存性の小さな多結晶シリコン抵抗素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 大粒径の第1の多結晶シリコン層(3b)と小粒径の第2の多結晶シリコン層(3a)の2層構造とからなり、互いに抵抗温度特性が逆の多結晶シリコン層を抵抗素子に用いる。また、上記大粒径の多結晶シリコン層は、高ドーズイオン打ち込み法により形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に絶縁膜を介して形成された多結晶シリコン膜からなる複数の抵抗素子を有する半導体装置において、少くとも1つの上記抵抗素子は他と抵抗値が異なり、かつ上記複数の抵抗素子のそれぞれの抵抗温度特性は実質的に零であることを特徴とする半導体装置。