特許
J-GLOBAL ID：200903086141376940
半導体超微粒子及び電界発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
千田 武
, 古部 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-111677
公開番号（公開出願番号）：特開2004-315661
出願日： 2003年04月16日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】半導体結晶が有する優れた発光特性等の特徴を保持しつつ、溶媒への良好な分散性を有し、電界発光素子等の電子デバイス用材料として好適な半導体超微粒子及びこれを用いた電界発光素子を提供すること。【解決手段】励起状態からの発光スペクトルが観測される、例えば、CdSe(コア)/ZnS(シェル)型半導体結晶と、この半導体結晶の表面に配位し、励起状態からの発光スペクトルが観測されない、例えば、2-ナフタレンチオール(2NT)等の配位子とを有し、この半導体結晶の価電子帯における最高の電子準位エネルギーと配位子のイオン化ポテンシャルとの差が2eV以下であり、且つ、半導体結晶の伝導帯における最低の電子準位エネルギーと配位子の電子親和力との差が2.5eV以下である半導体超微粒子であって、優れた発光特性と溶媒に対する良好な分散性を示し、電子デバイス用材料として好適な性質を示す。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
励起状態からの発光スペクトルが観測される半導体結晶と、
前記半導体結晶の表面に配位し、励起状態からの発光スペクトルが観測されない配位子と、を有し、
前記半導体結晶の価電子帯における最高の電子準位エネルギーと前記配位子のイオン化ポテンシャルとの差が2eV以下であり、
前記半導体結晶の伝導帯における最低の電子準位エネルギーと前記配位子の電子親和力との差が2.5eV以下であることを特徴とする半導体超微粒子。
IPC (5件)：
C09K11/02
, C09K11/08
, C09K11/54
, C09K11/56
, H05B33/14
C09K11/02 Z
, C09K11/08 G
, C09K11/54
, C09K11/56
, H05B33/14 Z
3K007AB01
, 3K007AB05
, 3K007AB06
, 3K007DB02
, 3K007EA03
, 3K007EB00
, 4H001CC13
, 4H001XA16
, 4H001XA30
, 4H001XA34
, 4H001XA48
