特許

J-GLOBAL ID：200903086152536280

半導体ウエハ

発明者： 新井 ゆかり ,  西 清次 ,  伊東 昌章
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-028264
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244437
出願日： 1993年02月17日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 プロービングの際に半導体ウエハが破損するのを防止する。【構成】 1チップ分の集積回路46を形成するチップ領域44に隣接させてプローブ領域48、50 を設ける。そしてチップ領域44の基板表側に設けたプロービング対象64、66 をプローブ領域48、50 の基板表側に設けた中継端子52、54 と接続し、さらにこれら中継端子52、54 をバイアホール60、62 を介してプローブ領域48、50 の基板裏側に設けたプローブ端子56、58 と接続する。基板表側に補強用の支持材を貼りつけたままの状態で、基板表側のプロービング対象64、66 を基板裏側のプローブ端子56、58 を介しプローブ(探針)と電気接続してプロービングを行なえるので目的を達成できる。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板に設けた複数のチップ領域と、該チップ領域に設けた集積回路とを備えて成る半導体ウエハにおいて、チップ領域に隣接させて設けたプローブ領域と、該プローブ領域の基板表側に設けた中継端子と、前記プローブ領域の基板裏側に設けたプローブ端子と、前記プローブ領域の基板を貫通するバイアホールとを備え、チップ領域の基板表側のプロービング対象となる集積回路要素を、前記プローブ領域の中継端子及びバイアホールを介してプローブ端子と接続して成ることを特徴とする半導体ウエハ。

IPC (6件)：

H01L 29/804 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/90 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 V ,  H01L 29/80 L