半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-039162
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232326
出願日： 1996年02月27日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】エピタキシャル成長の結晶基板の不純物プロフィルと同様の不純物プロフィルを有する拡散基板で製作した半導体装置を提供すること。【解決手段】軽イオンをn- 基板1とn+ 層2の境界からn+ 層2内に照射し、そのときの照射量は境界6付近の照射量を多く、境界6から離れるに従って照射量を少なく照射し、その照射量の範囲はドナー化する最小量である1×1012cm-2から1×1015cm-2で行い、熱処理温度は350°Cから600°Cの範囲で行うことで界面6の不純物プロフィルをエピタキシャル成長させた結晶基板とほぼ同一とする。

請求項（抜粋）：

低濃度の第一導電形の半導体基板の一主面から高濃度の第一導電形の不純物原子を拡散して第一導電形の高濃度拡散層を形成し、該高濃度拡散層の先端から高濃度拡散層内に所定量の軽イオンを照射し、その後所定温度で熱処理することで、軽イオンが照射された領域の格子欠陥をドナー化し、高濃度拡散層の先端近傍の濃度プロフィルをステップ状に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/329 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 29/91 B , H01L 21/265 Q , H01L 21/265 A

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