特許
J-GLOBAL ID:200903086155261657

基板上への薄膜コーティング方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 濱田 俊明 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-530399
公開番号(公開出願番号):特表平10-512190
出願日: 1996年03月28日
公開日(公表日): 1998年11月24日
要約:
【要約】最少の廃棄量で、溶液(20)の薄膜を基板(12)にコーティングする方法。液滴が生成され、液滴の大きさおよび速度は、基板上に液はねや波紋を生じさせないように、液滴が衝突時に破壊される。この装置および方法は、半導体ウェーハにフォトレジスト溶液をコーティングするのに理想的である。液滴の運動エネルギーは、衝突時に、表面張力に付随する自由エネルギーに打ち勝つように調整される。液滴の衝突により、フォトレジストまたは他のコーティング溶液の均一薄膜コーティングが得られ、以後は、さらに従来の技術により処理される。
請求項(抜粋):
基板上への薄膜コーティング方法であって、 予め設定した表面積を有する液の液滴を形成するステップと、 第2の流体の加圧流を、前記液滴を衝突させることによって前記液滴が前記基板に向けられて予め設定した速度まで加速するステップと、 前記基板との衝突時の前記液滴の前記速度は、前記液の膜で前記基板を濡らすが、前記基板の膜上に液はね、波紋または不均一性を生じさせないように、前記液滴の容積対表面積比を制御するステップとを含むことを特徴とする基板上への薄膜コーティング方法。
IPC (4件):
B05D 1/02 ,  B05C 11/08 ,  G03F 7/16 502 ,  H01L 21/027
FI (4件):
B05D 1/02 Z ,  B05C 11/08 ,  G03F 7/16 502 ,  H01L 21/30 564 D
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特公昭37-018621
  • 特公昭42-011148
  • 特開平1-107917
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