半導体製造装置の基板測定装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-293448
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115890
出願日： 1995年10月17日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【目的】半導体製造装置の基板測定に於いて、測定の準備作業、温度測定作業が著しく簡単であり、而も装置を休止することなく稼働中での温度測定を可能とする。【構成】上部電極4と下部電極9が対向して設けられ、処理基板27が前記下部電極に載置され、上下電極間にプラズマを発生させ基板27を処理する半導体製造装置に於いて、前記下部電極9を貫通する基板押上ピン38を昇降可能に設け、前記基板が該基板押上ピンにより持上げられる様にし、前記基板押上ピン内を貫通する温度測定子31を設け、該温度測定子が前記基板押上ピンの基板持上げ時に基板に接触し温度測定を可能としたことを特徴とするものであり、温度測定時に準備作業が必要なく装置の稼働状態での基板の温度測定が可能となる。

請求項（抜粋）：

上部電極と下部電極が対向して設けられ、処理基板が前記下部電極に載置され、上下電極間にプラズマを発生させ基板を処理する半導体製造装置に於いて、前記下部電極を貫通する基板押上ピンを昇降可能に設け、前記基板が該基板押上ピンにより持上げられる様にし、前記基板押上ピン内を貫通する温度測定子を設け、該温度測定子が前記基板押上ピンの基板持上げ時に基板に接触し温度測定を可能としたことを特徴とする半導体製造装置の基板測定装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205 , H01L 21/66 , H01L 21/68 , H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 C , H01L 21/205 , H01L 21/66 T , H01L 21/68 N , H05H 1/46 A

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