特許
J-GLOBAL ID：200903086162017893
CVD装置及びかかる装置を用いた薄膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-331575
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144747
出願日： 1991年11月21日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】半導体基板表面に膜厚の均一な高融点金属を含有する薄膜を形成することができるCVD装置及び薄膜形成方法を提供する。【構成】CVD装置は、反応室及び該反応室内に配設されたシャワーヘッド部を有する。そして、高融点金属化合物から成るガスを分解するガス分解手段が、シャワーヘッド部又はシャワーヘッド部より上流に、あるいはシャワーヘッド部の下流に位置する反応室側壁に、更には又、シャワーヘッド部の下流に位置する反応室頂壁に設けられている。薄膜形成方法は、(イ)高融点金属化合物から成るガスを分解して、反応室内に配設されたシャワーヘッドを通過させて、半導体基板表面に吸着させるガス分解吸着工程と、(ロ)高融点金属化合物から成る薄膜原料ガス及び還元ガスを反応室に供給して、薄膜原料ガスを還元し、かかる高融点金属を含有する薄膜を半導体基板表面に形成する薄膜形成工程、から成る。
請求項（抜粋）：
反応室及び該反応室内に配設されたシャワーヘッド部を備え、高融点金属化合物から成るガスを基に、かかる高融点金属を含有する薄膜を半導体基板表面に形成するCVD装置であって、該高融点金属化合物から成るガスを分解するガス分解手段を、シャワーヘッド部あるいはシャワーヘッド部より上流に設けたことを特徴とするCVD装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/285
, H01L 21/3205
