半導体メモリ装置及びその製法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-333665
公開番号（公開出願番号）：特開平5-167037
出願日： 1991年12月17日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】簡単なプロセスで、かつ小さな配線空間に大きな容量を記憶ノード上に設けるようにして、製造工程の簡略化、製造コストの低廉化を図る。【構成】 P型のウェル領域1上にSiO2 等からなるゲート絶縁膜2を介してドライバトランジスタTr1 及びTr2 の各ゲート電極G1 及びG2 を例えば1層目の多結晶シリコン層にて形成し、このゲート電極G1 及びG2 上に層間絶縁膜3を介して高抵抗負荷R1 及びR2 を構成する2層目の多結晶シリコン層(高抵抗負荷層)4a及び4bを積層する。そして、ゲート電極G1及びG2と高抵抗負荷層4a及び4bとの2つの接続点(記憶ノード)上にSi3 N4 からなる誘電体膜6(及び誘電体膜6の熱酸化膜7)を介して連続する一層の多結晶シリコン層からなるキャパシタプレート電極8を形成して構成する。

請求項（抜粋）：

一対のドライバトランジスタと該ドライバトランジスタ上に夫々記憶ノードを接続点として積層された一対の高抵抗負荷により構成されたフリップフロップ回路と、一対のアクセストランジスタとからメモリセルが構成された半導体メモリ装置において、上記一対のドライバトランジスタの各記憶ノード間が、誘電体膜を介してキャパシタプレート電極で接続されていることを特徴とする半導体メモリ装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-144655
特開平3-157969
特開平2-079468

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