特許

J-GLOBAL ID：200903086168184961

ホウ素拡散を行うMOSデバイス製造方法

発明者： クリフォード アラン キング ,  ビュング グック パーク
出願人/特許権者： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-044683
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252075
出願日： 1994年02月21日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 少なくとも一つのMOSトランジスタをシリコン基板(30)上に形成する方法を提供する。【構成】 ニ酸化珪素材料の層を基板の主たる表面上に形成し、ついでパターン化し、前記基板の少なくとも一つのソース領域と少なくとも一つのドレイン領域(7)を露出する。ホウ素-ドープゲルマニウムの層(50)を次にRTCVDによって露出領域上に堆積する。基板を加熱し、ホウ素をゲルマニウム層から前記のソースおよびドレイン領域へと拡散する。基板の主たる表面をエッチングし、ゲルマニウム層を高選択率で除去する。

請求項（抜粋）：

少なくとも一つのMOSトランジスタを少なくともその一部がn型であるシリコン基板(30)上に形成する方法であり、a)前記n型部分の上方にある、前記の基板の主たる表面上に二酸化珪素の層を形成するステップと、b)前記の二酸化珪素をパターニングし、ソースおよびドレイン領域として規定されるべき前記基板の領域(70)の上部にあたる層部分に開孔部を形成するステップと、c)ホウ素からなる物質の層(50)を前記のソースならびにドレイン領域内の前記の主たる表面上に堆積するステップと、d)前記の堆積されたホウ素の少なくとも一部が前記のソースならびにドレイン領域内に拡散し、前記ソースおよびドレイン領域中にp+-n接合を形成するように前記の基板を加熱するステップと、からなる方法であって、e)前記の堆積ステップがホウ素-ドープゲルマニウムをガス状のホウ素化合物からなる反応性蒸気から堆積させることを含む、ことを特徴とする、ホウ素拡散を行うMOSデバイス製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/225 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-196131
  
• 特開昭49-123273
  
• 特開平4-208528