特許
J-GLOBAL ID：200903086173723404
光学薄膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-212686
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066500
出願日： 1993年08月27日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】この発明の目的は、InP系半導体光機能素子の端面に素子性能や信頼性を損なわずに高性能の誘電体多層反射膜を形成することが可能な光学薄膜形成方法を提供することである。【構成】半導体レーザ素子11の発光面18に、プラズマCVD法によって、SiNx、SiO2 、Siのうちのいずれか1つにより第1の膜21を形成し、この第1の膜の上にイオンアシスト法による電子ビーム蒸着法によって多層膜からなる第2の膜21を形成している。したがって、半導体レーザ素子11の発光面18に露出した半導体接合部を破壊することがないため、リーク電流が発生することがなく、しかも、高性能の多層反射膜を形成できる。
請求項（抜粋）：
InGaAsP/InP系光機能素子の半導体接合面が露出している端面に、プラズマCVD法によって、SiNx、SiO2 、Siのうちのいずれか1つにより第1の膜を形成する工程と、この第1の膜の上にイオンアシスト法による電子ビーム蒸着法によって多層膜からなる第2の膜を形成する工程とを具備することを特徴とする光学薄膜形成方法。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 33/00
