特許
J-GLOBAL ID:200903086177707411

半田ペースト及びそれを用いた半導体装置の組立方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-345116
公開番号(公開出願番号):特開2004-174574
出願日: 2002年11月28日
公開日(公表日): 2004年06月24日
要約:
【課題】B-ステージ状態にすることにより、半導体素子を半導体素子搭載用基板に載置したとき位置ずれ、潰れがなく、半田電極形成を一括に行うことができ特性を有する半田ペーストを提供すること。【解決手段】(A)エポキシ樹脂と、常温で結晶の1分子当たり少なくとも2個以上のフェノール性水酸基と1分子当たり少なくとも1個以上の芳香族カルボン酸を有するフラックス機能を有する硬化剤を含む熱硬化性成分、(B)前記エポキシ樹脂を溶解させ前記硬化剤を溶解せず、且つ水酸基を有さない溶剤及び(C)半田粉を必須成分とし、且つB-ステージ性を有することを特徴とする半田ペースト。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
(A)エポキシ樹脂と、常温で結晶の1分子当たり少なくとも2個以上のフェノール性水酸基と1分子当たり少なくとも1個以上の芳香族カルボン酸を有するフラックス機能を有する硬化剤を含む熱硬化性成分、(B)前記エポキシ樹脂を溶解させ前記硬化剤を溶解せず、且つ水酸基を有さない溶剤及び(C)半田粉を必須成分とし、且つB-ステージ性を有することを特徴とする半田ペースト。
IPC (3件):
B23K35/363 ,  B23K35/22 ,  H01L21/60
FI (6件):
B23K35/363 E ,  B23K35/363 D ,  B23K35/22 310A ,  H01L21/60 311Q ,  H01L21/92 603B ,  H01L21/92 604E
Fターム (7件):
5F044KK02 ,  5F044KK18 ,  5F044KK19 ,  5F044LL01 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04 ,  5F044RR16
引用特許:
審査官引用 (2件)

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