特許

J-GLOBAL ID：200903086178197891

熱的処理方法および熱的処理装置

発明者： 荒巻 華世 ,  寺下 裕一 ,  雫石 桃子 ,  吉原 孝介
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-022588
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235468
出願日： 2003年01月30日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：

【課題】LERを小さくする熱的処理方法および熱的処理装置を提供する。【解決手段】レジスト膜の形成されたウエハWを現像処理した後に、そのウエハWを載置プレート83上に略水平に保持する。次に、ホットプレート84をウエハWの表面に近接させて、ホットプレート84からの輻射熱によってレジスト膜の表面近傍部分をレジスト膜のガラス転移点よりも高い温度に加熱することにより、その部分に流動性を生じさせてレジスト膜に形成された現像線のLERを小さくする。その後に加熱処理されたウエハWを冷却プレート93に移してウエハWを冷却する。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

表面にレジスト膜が形成された基板を現像処理した後に、前記レジスト膜に形成された現像線のLERが小さくなるように、前記基板を熱的に処理する熱的処理方法であって、 前記基板を略水平に保持する工程と、 熱源を前記基板の表面に近接させる工程と、 前記熱源からの輻射熱によってレジスト膜の表面近傍を前記レジスト膜のガラス転移点よりも高い温度に加熱する工程と、 加熱処理された前記基板を冷却する工程と、 を有することを特徴とする熱的処理方法。

IPC (2件)：

H01L21/027 ,  G03F7/40

FI (3件)：

H01L21/30 571 ,  G03F7/40 501 ,  H01L21/30 567

Fターム (8件)：

2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096HA01 ,  5F046KA04 ,  5F046KA07 ,  5F046KA10 ,  5F046LA18

引用特許：

審査官引用 (5件)

• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-212160   出願人：株式会社東芝
• 上面ベークアンドクーリング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-365934   出願人：リソテックジャパン株式会社
• 処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-043278   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
• パターン処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-153385   出願人：株式会社東芝
• 塗布膜の加熱装置、レジスト膜の処理方法及び処理装置、レジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-385349   出願人：株式会社東芝